软银与英特尔合作研发新型AI 内存芯片，耗电量将减半
据环球网援引日经亚洲报道，软银集团与英特尔公司正携手开展一项重要合作，共同开发一款全新的AI 专用内存芯片，这款芯片有望在耗电量方面实现大幅降低。
双方计划设计的是一种新型堆叠式DRAM 芯片，该芯片采用了不同于现有高带宽内存（HBM）的布线方式，预计可将电力消耗减少约一半。这一创新设计将有效提升芯片的能效比，对于降低 AI 数据中心的运营成本以及推动绿色计算具有意义。
负责该研发项目的是新成立的公司Saimemory。据了解，项目所采用的技术源自英特尔，同时结合了东京大学等日本高校的专利成果。Saimemory 将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责。
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