晶圆代工格罗方德展新技术，3D晶片堆叠攻移动与平板应用
全球第三大晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)近日宣布一项新技术---3D晶片堆叠，主要应用范围为新一代的移动与消费性产品。
其位于纽约萨拉托加郡的晶圆八厂已安装一套特殊生产工具，可在半导体晶圆上建立矽穿孔(TSV)技术，在新的20奈米制程上允许多个晶片像堆积木一片片垂直堆叠。
简单来讲，TSV是在半导体材料--矽，以蚀刻方式垂直钻孔再以铜填满，使垂直堆叠的整合式电路间得以进行通讯。例如，电路设计师可将记忆体晶片的堆叠放置在应用程式处理器之上，大幅提升记忆体频宽及降低耗电量，而这也是时下移动装置，智慧型手机及平板电脑在开发时所面临到的最大难题。
这种3D整合式的电路堆叠，因为同时也需要引进新的封装技术，使得这么多个晶片封装后的相互作用及复杂性也大幅提升。格罗方德技术长Gregg Bartlett表示，“为了协助解决这些新挑战，我们结合整个半导体生态系统中的设计至组装测试公司，与客户建立共同开发与制造的合伙关系。”
据了解，格罗方德的新晶圆8厂是美国最大的半导体代工厂，该厂聚焦于32/28奈米及以下的先进制程，而20奈米的技术开发也正在顺利进行中。
本文由i黑马作者戴晋人整理自bnext
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